低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 80G03 PDFN5X6-8L 低壓N+PMOS管 應(yīng)用于無(wú)線充
低壓N+PMOS管 80G03的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-72A
RDS(ON)＜8mΩ@VGS=-10V(Type：6.2mΩ)
低壓N+PMOS管 80G03的管腳圖：
低壓N+PMOS管 80G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)線充電
馬達(dá)
低壓N+PMOS管 80G03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 80 | -72 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 52.5 | -57.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 243 | -210 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 389 | 478 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 80 | 72 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.3 | 1.3 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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