70N12 TO-263 馬達應(yīng)用MOS管 低內(nèi)阻替代MOS 國產(chǎn)N溝道MOS
馬達應(yīng)用MOS管 70N12的應(yīng)用領(lǐng)域：
手機快充
無刷馬達
家用電器控制板
馬達應(yīng)用MOS管 70N12的產(chǎn)品特點：
VDS=120V
ID=70A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=10V(Type：10mΩ)
封裝：TO-263
馬達應(yīng)用MOS管 70N12的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 70 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 TC=25℃ | 150 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 53.8 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 140 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼熱阻 | 0.89 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
馬達應(yīng)用MOS管 70N12的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 10 | 13 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 15 | 18 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 33.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2640.1 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 330.1 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 11.2 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 22.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9.7 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 85 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 112.3 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
