國(guó)產(chǎn)替換MOS 70N12 TO-220 快充用NMOS管 120V常用MOS
120V常用MOS 70N12的應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)快充
無刷馬達(dá)
家用電器控制板
120V常用MOS 70N12的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:120V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:70A
漏極電流-脈沖 IDM:150A
單脈沖雪崩能量 EAS:53.8mJ
總耗散功率 PD:140W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.89℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
120V常用MOS 70N12的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 10 | 13 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 15 | 18 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 33.1 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 5.6 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2640.1 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 330.1 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 11.2 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 22.3 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 9.7 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 85 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 112.3 |