宇芯微 替代MOSFET 70N12 TO-252 馬達(dá)用120VNMOS 13mΩ 中壓場(chǎng)效應(yīng)管
馬達(dá)用120VNMOS 70N12的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=120V
ID=70A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=10V(Type：10mΩ)
封裝：TO-252
馬達(dá)用120VNMOS 70N12的應(yīng)用領(lǐng)域：
手機(jī)快充
無(wú)刷馬達(dá)
家用電器控制板
馬達(dá)用120VNMOS 70N12的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：120V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：70A
漏極電流-脈沖 IDM：150A
單脈沖雪崩能量 EAS：53.8mJ
總耗散功率 PD：140W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.89℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
馬達(dá)用120VNMOS 70N12的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 125 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 10 | 13 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 15 | 18 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 33 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2640 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 330 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 11 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 22 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 10 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 85 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 112 |
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