60N06 TO-220F 超低內阻NMOS 塑封MOSFET 場效應管絲印
塑封MOSFET 60N06的產品特點：
VDS=60V
ID=60A
RDS(ON)＜15mΩ@VGS=10V(Type：11mΩ)
封裝：TO-220F
塑封MOSFET 60N06的應用：
電池保護
負載開關
UPS 不間斷電源
塑封MOSFET 60N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：60A
漏極電流-脈沖 IDM：180A
單脈沖雪崩能量 EAS：39.2mJ
雪崩電流 IAS：38A
總耗散功率 PD：45W
結到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：2.8℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
塑封MOSFET 60N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 11 | 15 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2423 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 145 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 97 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 36.4 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.6 |
掃二維碼進入手機網站