18mΩ 低內(nèi)阻場效應(yīng)管 40P04 TO-252 -40V P溝道MOS管 電池保護(hù)MOS
電池保護(hù)MOS 40P04的特點:
VDS=-40V
ID=-40A
RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V(Type:15mΩ)
TO-252
電池保護(hù)MOS 40P04的應(yīng)用:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
電池保護(hù)MOS 40P04的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -40 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -23 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | -120 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 125 | mJ |
PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 25 | W |
總耗散功率(TA=25℃) | 16 | ||
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電池保護(hù)MOS 40P04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -44 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 15 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 18 | 25 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 9.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2760 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 260 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 85 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 48 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 24 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 88 | |||
tf | 開啟下降時間 | 9.6 |