常用MOSFET 25N04 SOP-8 7mΩ 超低內阻NMOS管 貼片低壓MOS
常用MOSFET 25N04的產品特點：
VDS=40V
ID=25A
RDS(ON)＜7mΩ@VGS=10V(Type：5.5mΩ)
封裝：SOP-8
常用MOSFET 25N04的產品應用：
電池保護
負載開關
UPS 不間斷電源
常用MOSFET 25N04的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：25.5A
漏極電流-脈沖 IDM：75A
單脈沖雪崩能量 EAS：176mJ
雪崩電流 IAS：39A
總耗散功率 PD：1.5W
結到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：28℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
常用MOSFET 25N04的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 5.5 | 7.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 6.5 | 10 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2332 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 193 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 138 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 77 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 4.8 |
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