低壓MOS管 25G04 TO-252-4 40V N+PMOSFET 馬達(dá)專用場(chǎng)效應(yīng)管
馬達(dá)專用場(chǎng)效應(yīng)管 25G04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=28A
RDS(ON)＜24mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-25A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=-10V(Type：32mΩ)
馬達(dá)專用場(chǎng)效應(yīng)管 25G04的引腳圖：
馬達(dá)專用場(chǎng)效應(yīng)管 25G04的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 28 | -25 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 18 | -16 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 46 | -40 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 28 | 66 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 17.8 | -27.2 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 25 | 31.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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