常用MOS型號 20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET 電子煙用場效應(yīng)管
常用MOS型號 20P01的管腳配置圖:
常用MOS型號 20P01的產(chǎn)品應(yīng)用:
電子煙
負載開關(guān)
常用MOS型號 20P01的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-18V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:-20A
漏極電流-脈沖 IDM:-36A
總耗散功率 PD:1.6W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
常用MOS型號 20P01的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | -18 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-6A | 12 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5.2A | 14 | 23 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-4.2A | 20 | 35 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.5 | -0.65 | -1 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1100 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 390 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 300 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 25 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 45 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 72 | |||
tf | 開啟下降時間 | 60 |