12mΩ 低內(nèi)阻MOS 20H03 PDFN5X6-8L N+N溝道MOS管 快充用場效應(yīng)管
低內(nèi)阻MOS 20H03的特點：
VDS=30V
ID=24.7A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
PDFN5X6-8L
低內(nèi)阻MOS 20H03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護
手機快充
低內(nèi)阻MOS 20H03的管腳圖：
低內(nèi)阻MOS 20H03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：24.7A
漏極電流-脈沖 IDM：92A
單脈沖雪崩能量 EAS：57.8mJ
雪崩電流 IAS：13A
總耗散功率 PD：19.2W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：6.5℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低內(nèi)阻MOS 20H03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 8.5 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 11.5 | 16.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.82 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.24 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.54 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 896 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 126 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 108 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 6.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 39 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 21 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 4.7 |
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