場效應(yīng)管價格 18N03 TO-252 MCU驅(qū)動用MOS管 30V/18A 低內(nèi)阻MOS
低內(nèi)阻MOS 18N03的引腳圖：
低內(nèi)阻MOS 18N03的特點：
VDS=30V
ID=18A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
RDS(ON)＜31mΩ@VGS=4.5V(Type：21mΩ)
封裝：TO-252
低內(nèi)阻MOS 18N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
3.3V MCU 驅(qū)動器
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低內(nèi)阻MOS 18N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 18 | A |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 12 | |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 20.8 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
低內(nèi)阻MOS 18N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 18 | 25 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 21 | 31 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=1A | 30 | 49 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.9 | 1.3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 530 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 130 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 36 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 47 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 26 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8 |
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