18mΩ 低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 12P04 SOP-8 -40V低壓MOS管 PMOS管價(jià)格
-40V低壓MOS管 12P04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=-40V
ID=-12A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V(Type：14mΩ)
封裝：SOP-8
-40V低壓MOS管 12P04的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
-40V低壓MOS管 12P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-12A
漏極電流-脈沖 IDM：-36A
單脈沖雪崩能量 EAS：125mJ
總耗散功率 PD：3.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：5℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
-40V低壓MOS管 12P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 14 | 18 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 9.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2760 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 260 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 85 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 48 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 24 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 88 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 9.6 |
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