國產(chǎn)替代MOS管 10N10 SOP-8 100V NMOSFET 照明用場效應(yīng)管
國產(chǎn)替代MOS管 10N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=12.3A
RDS(ON)＜110mΩ@VGS=10V(Type：93mΩ)
封裝：SOP-8
國產(chǎn)替代MOS管 10N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
汽車照明
負(fù)載開關(guān)
PSE
國產(chǎn)替代MOS管 10N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：12.3A
漏極電流-脈沖 IDM：24A
總耗散功率 PD：30W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：5.1℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
國產(chǎn)替代MOS管 10N10的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 93 | 110 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 100 | 140 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 645 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 38 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 33 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 16 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6 |
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