10N06 SOT223-3L 60V低壓NMOS管 MOSFET應用 小封裝場效應管
60V低壓NMOS管 10N06的產(chǎn)品特點：
VDS=60V
ID=10A
RDS(ON)＜36mΩ@VGS=10V(Type：28mΩ)
封裝：SOT223-3L
60V低壓NMOS管 10N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：10A
漏極電流-脈沖 IDM：30A
總耗散功率 PD：31.3W
單脈沖雪崩能量 EAS：22mJ
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：60℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：4℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
60V低壓NMOS管 10N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=15A | 28 | 36 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 38 | 45 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 25.3 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1027 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 65 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 2.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 16.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 21.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 5.6 |
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