20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nèi)阻NMOS管 汽車照明MOS管
低內(nèi)阻NMOS管 10N04的產(chǎn)品特點：
VDS=40V
ID=10A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V(Type：15mΩ)
封裝：SOT223-3L
低內(nèi)阻NMOS管 10N04的產(chǎn)品應(yīng)用：
汽車照明
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低內(nèi)阻NMOS管 10N04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：10A
漏極電流-脈沖 IDM：50A
總耗散功率 PD：1.9W
單脈沖雪崩能量 EAS：31mJ
雪崩電流 IAS：25A
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：65℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低內(nèi)阻NMOS管 10N04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=7A | 15 | 20 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 32 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1013 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 107 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 76 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 2.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 40.4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 22.8 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6.4 |
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