100V/12A 中壓場效應(yīng)管 10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管 快充用MOSFET
快充用MOSFET 10H10的特點：
VDS=100V
ID=12A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=10V(Type：72mΩ)
封裝：SOP-8
快充用MOSFET 10H10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：12A
漏極電流-脈沖 IDM：36A
總耗散功率 PD：1.5W
單脈沖雪崩能量 EAS：6.1mJ
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：5.1℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
快充用MOSFET 10H10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 72 | 100 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 14 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 55 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 40 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 3.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 25.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 16 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8.8 |
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