-30V P+P溝道MOS管 8V03 SOP-8 國產MOSFET 貼片MOS選型
P+P溝道MOS管 8V03的產品特點:
VDS=-30V
ID=-10A
RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V(Type:16mΩ)
封裝:SOP-8
P+P溝道MOS管 8V03的應用:
鋰電池保護
手機快充
P+P溝道MOS管 8V03的極限值:
(如無特殊說明,TA=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-10A
漏極電流-脈沖 IDM:-32A
單脈沖雪崩能量 EAS:81.2mJ
總耗散功率 PD:1.5W
結到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:25℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
P+P溝道MOS管 8V03的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-6A | 16 | 25 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 25 | 35 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 12.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 4.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.8 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1345 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 194 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 158 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 4.6 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 14.8 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 41 | |||
tf | 開啟下降時間 | 19.6 |