40mΩ 國(guó)產(chǎn)替換MOS 6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS LED用MOS管
LED用MOS管 6N06的引腳圖:
LED用MOS管 6N06的特點(diǎn):
VDS=60V
ID=6A
RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:36mΩ)
封裝:SOT23-6
LED用MOS管 6N06的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:60V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:6A
漏極電流-脈沖 IDM:18A
單脈沖雪崩能量 EAS:22mJ
總耗散功率 PD:2W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:4℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~175℃
LED用MOS管 6N06的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 36 | 40 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 40 | 48 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1027 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 65 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 2.8 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 16.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21.2 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 5.6 |