小封裝MOS管 4P05 SOT23-3L 低壓PMOS管 -55V 常用PMOS
低壓PMOS管 4P05的產(chǎn)品特點：
VDS=-55V
ID=-4.2A
RDS(ON)＜125mΩ@VGS=-10V(Type：108mΩ)
封裝：SOT23-3L
低壓PMOS管 4P05的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-55V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-4.2A
漏極電流-脈沖 IDM：-16A
總耗散功率 PD：1W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：80℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低壓PMOS管 4P05的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -55 | -58 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 108 | 125 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 125 | 155 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 4.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.62 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 531 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 59 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 5.4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 37.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.4 |
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