-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8 -100V電源MOS 國產(chǎn)MOSFET
-3A中壓PMOS 3P10的產(chǎn)品特點:
VDS=-100V
ID=-3A
RDS(ON)<600mΩ@VGS=-10V(Type:450mΩ)
封裝:SOP-8
-3A中壓PMOS 3P10的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
-3A中壓PMOS 3P10的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-3A
漏極電流-脈沖 IDM:-9.8A
總耗散功率 PD:1W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
-3A中壓PMOS 3P10的電特性:
(如無特殊說明,TA=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | -111 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-0.8A | 450 | 600 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-0.4A | 560 | 700 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.5 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 4.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.14 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 553 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 29 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 20 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 13.6 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 6.8 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 34 | |||
tf | 開啟下降時間 | 3 |