低壓MOS 3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS 常用場(chǎng)效應(yīng)管
N+P溝道MOS 3G03的管腳配置圖:
N+P溝道MOS 3G03的特點(diǎn):
1、N-CH:
VDS=30V
ID=3.8A
RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V
2、P-CH:
VDS=-30V
ID=-3.2A
RDS(ON)<120mΩ@VGS=10V
N+P溝道MOS 3G03的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | ±12 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 3.8 | -3.2 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 30 | -30 | |
PD | 總耗散功率 | 1.15 | 1.15 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | 125 | ℃/W |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | 150 | 150 |