15N10 TO-251 100V 國(guó)產(chǎn)常用NMOS 電源場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管選型
國(guó)產(chǎn)常用NMOS 15N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=14.1A
RDS(ON)＜105mΩ@VGS=10V
封裝：TO-251
國(guó)產(chǎn)常用NMOS 15N10的應(yīng)用場(chǎng)合：
負(fù)載開(kāi)關(guān)
PWM 應(yīng)用
電源管理
國(guó)產(chǎn)常用NMOS 15N10的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 14.1 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 8.1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 28 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 20.8 | W |
| 總耗散功率(TA=25℃) | 2 | ||
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
國(guó)產(chǎn)常用NMOS 15N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 88 | 105 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 93 | 125 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 610 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 40 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 16 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 6 |
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