宇芯微 電源用場效應(yīng)管 80P06 TO-263 低內(nèi)阻MOS管 常用國產(chǎn)MOS
低內(nèi)阻MOS管 80P06的產(chǎn)品應(yīng)用：
鋰電池保護(hù)
開關(guān)電源
UPS 不間斷電源
低內(nèi)阻MOS管 80P06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -82 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -52 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -328 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 110 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 0.70 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 60 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低內(nèi)阻MOS管 80P06的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -67 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-2A | 110 | 130 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-1.5A | 140 | 190 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.9 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 715 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 51 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 34 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 17 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 22 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 21 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
