N型MOSFET 110N04 TO-252 大電流MOS管 4.3mΩ低內(nèi)阻MOS
N型MOSFET 110N04的產(chǎn)品應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
N型MOSFET 110N04的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：110A
漏極電流-脈沖 IDM：440A
單脈沖雪崩能量 EAS：195mJ
雪崩電流 IAS：42A
總耗散功率 PD：108W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.4℃/W
N型MOSFET 110N04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 3.5 | 4.3 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.4 | 7.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 65 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5595 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 411 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 340 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 12 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 16 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 39 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 15 |
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