MOS管選型 50P10 TO-263 50V貼片PMOS 低內(nèi)阻 功率MOSFET
功率MOSFET 50P10的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)刷馬達(dá)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
功率MOSFET 50P10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -50 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -28 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -150 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 87 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -35 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 140 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.1 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
功率MOSFET 50P10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 40 | 52 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 44 | 62 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2120 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 13 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 13 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 39 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 100.1 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 105.3 |
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