通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS 40mΩ LED用MOS管
通用MOSFET 6N04的特點(diǎn)：
VDS=40V
ID=6A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=10V(Type：28mΩ)
封裝形式：SOT89-3L
通用MOSFET 6N04的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：6A
漏極電流-脈沖 IDM：18A
總耗散功率 PD：1.67W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：30℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
通用MOSFET 6N04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4A | 28 | 40 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 35 | 50 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.54 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.84 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 452 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 51 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 2.1 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 29 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 2.1 |
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