宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場效應(yīng)管
低壓NMOSFET 180N03的產(chǎn)品應(yīng)用:
鋰電保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
低壓NMOSFET 180N03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:180A
漏極電流-脈沖 IDM:500A
總耗散功率 PD:187W
存儲溫度 TSTG:-55~+175℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~+175℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.8℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
低壓NMOSFET 180N03的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 38 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 2.1 | 3.2 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 3 | 3.8 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 56.9 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 13.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 23.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 5850 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 720 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 525 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 20.1 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 6.3 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 124.6 | |||
tf | 開啟下降時間 | 15.8 |