宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引腳排列
N型MOSFET 40N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=40A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：14mΩ)
封裝：PDFN3X3-8L
N型MOSFET 40N10的產(chǎn)品應(yīng)用：
消費(fèi)電子電源
電極控制
同步整流
N型MOSFET 40N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：40A
漏極電流-脈沖 IDM：120A
單脈沖雪崩能量 EAS：57mJ
總耗散功率 PD：71W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.76℃/W
N型MOSFET 40N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 14 | 25 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 18 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 16.2 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1003.9 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 185.4 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 9.8 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 16.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 3.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 75.5 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 46 |
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