雙N場(chǎng)效應(yīng)管 20V N+NMOSFET 9928A SOP-8 無(wú)線(xiàn)充MOS管
無(wú)線(xiàn)充MOS管 9928A的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=10.5A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=4.5V(Type:12mΩ)
封裝：SOP-8
無(wú)線(xiàn)充MOS管 9928A的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
無(wú)線(xiàn)充電
無(wú)線(xiàn)充MOS管 9928A的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) ID：10.5A
漏極電流-脈沖 IDM：26A
總耗散功率(TA=25℃) PD：1.25W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：100℃/W
無(wú)線(xiàn)充MOS管 9928A的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 12 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=5A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 900 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 220 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 100 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 10 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 11 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 35 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 30 |
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