宇芯微 5.5mΩ 低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150N10 TO-263 DC轉(zhuǎn)換MOS管
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150N10的引腳圖
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150N10的應(yīng)用領(lǐng)域:
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
LED 照明
電源管理開(kāi)關(guān)
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150N10的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:150A
漏極電流-脈沖 IDM:420A
單脈沖雪崩能量 EAS:250mJ
雪崩電流 IAS:53.4A
總耗散功率 PD:148W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:62℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:0.84℃/W
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150N10的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 75 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 17 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
Ciss | 輸入電容 | 4400 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 645 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 20 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 15.4 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 13 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 34 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 6.2 |