100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全 中低壓MOS管
N型MOSFET 160N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=160A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V(Type：3.7mΩ)
封裝：TO-263
N型MOSFET 160N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
N型MOSFET 160N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：160A
漏極電流-脈沖 IDM：600A
單脈沖雪崩能量 EAS：540mJ
雪崩電流 IAS：60A
總耗散功率 PD：225W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：62℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：0.55℃/W
N型MOSFET 160N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 110 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=80A,Tj=25℃ | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 3 | 4.2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 130 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 78 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 32 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3950 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1200 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 45 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 27 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 52 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 58 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 23 |
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