MOSFET報價 插件場效應(yīng)管 95V/120A 120N09 TO-220 低壓國產(chǎn)NMOS
低壓國產(chǎn)NMOS 120N09的產(chǎn)品特點：
VDS=95V
ID=120A
RDS(ON)＜7mΩ@VGS=10V(Type：5.8mΩ)
封裝：TO-220
低壓國產(chǎn)NMOS 120N09的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護
負載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低壓國產(chǎn)NMOS 120N09的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：95V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：120A
漏極電流-脈沖 IDM：480A
單脈沖雪崩能量 EAS：576mJ
雪崩電流 IAS：36.4A
總耗散功率 PD：17W
存儲溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：60℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：0.7℃/W
低壓國產(chǎn)NMOS 120N09的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 95 | 100 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃ | 5.8 | 7 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 84.2 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 48.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 14.9 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3107 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1060 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 30 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 38.9 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 45.1 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 22.5 |
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