宇芯微 常用MOS 80V/100A 國產(chǎn)貼片MOS管 100N08 TO-252 NMOS應(yīng)用領(lǐng)域
常用MOS 100N08的特點(diǎn)：
VDS=80V
ID=100A
RDS(ON)＜6.8mΩ@VGS=10V(Type：5.5mΩ)
封裝：TO-252
常用MOS 100N08的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
常用MOS 100N08的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：80V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：100A
漏極電流-脈沖 IDM：400A
單脈沖雪崩能量 EAS：506mJ
總耗散功率 PD：158W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.22℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：92℃/W
常用MOS 100N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 80 | 92 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=50A | 5.5 | 6.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 75 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 56.7 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 21.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3475 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 770 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 17.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 33 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 38.9 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 18.1 |
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