650V/12A 國(guó)產(chǎn)高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS管
塑封場(chǎng)效應(yīng)管 12N65的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=650V
ID=12A
RDS(ON)＜0.72Ω@VGS=10V(Type：0.6Ω)
封裝：TO-220F
塑封場(chǎng)效應(yīng)管 12N65的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
塑封場(chǎng)效應(yīng)管 12N65的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：650V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：12A
漏極電流-脈沖 IDM：44A
單脈沖雪崩能量 EAS：304mJ
雪崩電流 IAR：7.7A
重復(fù)雪崩能量 EAR：65mJ
總耗散功率 PD：32.1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.92℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
塑封場(chǎng)效應(yīng)管 12N65的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | 685 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5.5A | 0.6 | 0.72 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 46 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1528 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 147 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 43 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 29 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 196 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 51 |
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