40VNMOS管 80N04 TO-220 低壓插件MOS管 大功率MOS管
40VNMOS管 80N04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=40V
ID=80A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V(Type：6mΩ)
封裝：TO-220
40VNMOS管 80N04的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：80A
漏極電流-脈沖 IDM：120A
單脈沖雪崩能量 EAS：76.1mJ
雪崩電流 IAS：39A
總耗散功率 PD：44.6W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.44℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
40VNMOS管 80N04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 6 | 7.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 9 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 39 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2332 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 193 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 138 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 14.3 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 2.6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 77 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4.8 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
