場(chǎng)效應(yīng)管選型 65N04 PDFN5X6-8L 40VNMOS管 超低內(nèi)阻MOS
40VNMOS管 65N04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=40V
ID=65A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.7mΩ)
40VNMOS管 65N04的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
40VNMOS管 65N04的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：65A
漏極電流-脈沖 IDM：200A
單脈沖雪崩能量 EAS：81mJ
雪崩電流 IAS：10A
總耗散功率 PD：33.7W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：3.7℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.1℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
40VNMOS管 65N04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 7.7 | 9 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 9.4 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 22 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 37 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 192 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 165 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 12 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 12 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 38 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 9 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
