30VNMOS 50N03 PDFN3X3-8L 手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 12mΩ 低內(nèi)阻MOS
低內(nèi)阻MOS 50N03的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=50A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：10.5mΩ)
低內(nèi)阻MOS 50N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
低內(nèi)阻MOS 50N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：50A
漏極電流-脈沖 IDM：75A
單脈沖雪崩能量 EAS：24.2mJ
雪崩電流 IAS：22A
總耗散功率 PD：26W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：75℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：4.8℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低內(nèi)阻MOS 50N03的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=6A | 10.5 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 15.5 | 19 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 32 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 4.2 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 870 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 135 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 87 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 13.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 6.3 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 7 |
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