200VNMOS管 30N20 TO-220 插件MOSFET 電源MOS管
200VNMOS管 30N20的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=200V
ID=30A
RDS(ON)＜130mΩ@VGS=10V(Type：100mΩ)
200VNMOS管 30N20的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
200VNMOS管 30N20的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：200V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：30A
漏極電流-脈沖 IDM：90A
單脈沖雪崩能量 EAS：340mJ
雪崩電流 IAS：20A
重復(fù)雪崩能量 EAR：8.3mJ
總耗散功率 PD：104W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：60℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.2℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
200VNMOS管 30N20的電特性 ：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | 225 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=9A | 100 | 130 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 41 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 19.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1318 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 180 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 75 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 24 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 45 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 101 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 95 |
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