N溝道場效應管 25N04 TO-252 無線充用40VMOS 國產(chǎn)芯片MOS管
國產(chǎn)芯片MOS管 25N04的產(chǎn)品特點：
VDS=40V
ID=25A
RDS(ON)＜30mΩ@VGS=10V(Type：23mΩ)
國產(chǎn)芯片MOS管 25N04的產(chǎn)品應用：
無線充電
無刷馬達
國產(chǎn)芯片MOS管 25N04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 25 | A |
漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 14.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 73 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 16.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 14 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
國產(chǎn)芯片MOS管 25N04的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=4A | 23 | 30 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 30 | 45 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 8 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.54 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.84 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 452 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 51 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.1 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 29 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.1 |
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