P型MOSFET 20P02 SOT89-3L MOS管型號參數(shù) 電池保護(hù)MOS
電池保護(hù)MOS 20P02的引腳圖：
電池保護(hù)MOS 20P02的產(chǎn)品應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
電池保護(hù)MOS 20P02的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) ID：-20A
漏極電流-脈沖 IDM：-60A
總耗散功率(TA=25℃) PD：431W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：250℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：7.4℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
電池保護(hù)MOS 20P02的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4.9A | 32 | 38 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-3.4A | 45 | 55 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-2A | 65 | 85 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -1 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 12.8 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10.2 | 14.3 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.89 | 2.6 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | 4.3 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 857 | 1200 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 114 | 160 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 108 | 151 | ||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 5.6 | 11.2 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 40.8 | 73 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 33.6 | 67 | ||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 18 | 36 |
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