20mΩ 低壓MOS管 16P02 SOP-8 電池保護(hù)MOS 通用MOSFET
電池保護(hù)MOS 16P02的應(yīng)用領(lǐng)域:
鋰電保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
電池保護(hù)MOS 16P02的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-20V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:-16A
漏極電流-脈沖 IDM:-48A
總耗散功率 PD:2.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJC:24℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
電池保護(hù)MOS 16P02的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -24 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 14 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 22 | 28 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.5 | -0.6 | -1.2 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 15.3 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.4 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 242 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 231 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 31 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 28 | |||
tf | 開啟下降時間 | 8 |