MOSFET價格 低壓PMOS管 15P04 SOP-8 場效應(yīng)管選型
低壓PMOS管 15P04的應(yīng)用領(lǐng)域:
鋰電保護
負載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低壓PMOS管 15P04的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-40V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-15.8A
漏極電流-脈沖 IDM:-45A
單脈沖雪崩能量 EAS:146mJ
總耗散功率 PD:1.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJC:24℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
低壓PMOS管 15P04的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -44 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-8A | 11 | 15 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-6A | 16 | 20 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 24 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 27.9 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 7.7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3500 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 323 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 222 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 40 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 35.2 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 100 | |||
tf | 開啟下降時間 | 9.6 |