貼片N+PMOS管 15G03 ESOP-8 低壓場效應(yīng)管 國內(nèi)MOSFET
貼片N+PMOS管 15G03的產(chǎn)品特點：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=19.3A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=10V(Type：10mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-16.5A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V(Type：21mΩ)
貼片N+PMOS管 15G03的管腳圖：
貼片N+PMOS管 15G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 19.3 | -16.5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 12.5 | -11.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 64 | -49.1 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 69 | 48 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 14 | 10.1 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 36 | 31.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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