場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用 13P06 TO-251 插件低壓MOS管 PMOS管大全
插件低壓MOS管 13P06的引腳圖：
插件低壓MOS管 13P06的產(chǎn)品應(yīng)用：
無(wú)刷馬達(dá)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
插件低壓MOS管 13P06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -13.5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -8.3 | ||
| 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -3.3 | ||
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -2.7 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -26 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 29.8 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -24.4 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 31.3 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
插件低壓MOS管 13P06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-3A | 80 | 90 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-2A | 100 | 115 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1.2 | -2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 8.5 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1137 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 76 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 50 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 9.2 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 20.1 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 46.7 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 9.4 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
