MOSFET選型 10N10 TO-252 100V/10A N溝道MOS管 國(guó)產(chǎn)芯片MOS
N溝道MOS管 10N10的管腳配置圖:
N溝道MOS管 10N10的產(chǎn)品應(yīng)用:
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
N溝道MOS管 10N10的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:10A
漏極電流-脈沖 IDM:24A
總耗散功率 PD:30W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
N溝道MOS管 10N10的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,Tj=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 120 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 240 | 280 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 260 | 300 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.85 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導(dǎo) | 14 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 9.7 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.7 | |||
Ciss | 輸入電容 | 508 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 29 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 16.4 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 1.6 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 19 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 13.6 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 19 |