60V/13A 電池保護(hù)MOS管 10N06 TO-252 國產(chǎn)常用NMOS MOSFET芯片
電池保護(hù)MOS管 10N06的管腳圖：
電池保護(hù)MOS管 10N06的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
電池保護(hù)MOS管 10N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 13 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 10 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 11 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 10 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 42 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
電池保護(hù)MOS管 10N06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 64 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 65 | 80 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 75 | 90 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 330 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 65 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 51 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 15.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10.3 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
