8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8 低內(nèi)阻場效應(yīng)管 國產(chǎn)大芯片MOS
P+P溝道MOS管 8V04的管腳配置圖:
P+P溝道MOS管 8V04的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
P+P溝道MOS管 8V04的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-40V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-8.2A
漏極電流-脈沖 IDM:-36A
總耗散功率 PD:3.1W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:40℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
P+P溝道MOS管 8V04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -46 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-18A | 35 | 40 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 48 | 65 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導(dǎo) | 12.6 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 9 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.54 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1004 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 108 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 19.2 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 12.8 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 48.6 | |||
tf | 開啟下降時間 | 4.6 |