MOSFET選型 6N40 TO-252 400V/6A 國(guó)產(chǎn)NMOS管 大功率MOS
國(guó)產(chǎn)NMOS管 6N40的產(chǎn)品特點(diǎn):
VDS=400V
ID=6A
RDS(ON)<1Ω@VGS=10V(Type:0.8Ω)
國(guó)產(chǎn)NMOS管 6N40的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:400V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續(xù) ID:6A
漏極電流-脈沖 IDM:28A
單脈沖雪崩能量 EAS:176mJ
雪崩電流 IAR:7A
重復(fù)雪崩能量 EAR:18mJ
總耗散功率 PD:32.9W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:13.3℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:3.8℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
國(guó)產(chǎn)NMOS管 6N40的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,Tj=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 400 | 440 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3.5A | 0.8 | 1 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3.7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
Ciss | 輸入電容 | 700 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 94 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 13 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 20 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 76 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 40 |