國(guó)產(chǎn)MOSFET 5N06 SOT-89-3L 低壓MOS管 60V/5.8A 80mΩ 鋰電池場(chǎng)效應(yīng)管
國(guó)產(chǎn)MOSFET 5N06的特點(diǎn)：
VDS=60V
ID=5.8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=10V(Type:65mΩ)
國(guó)產(chǎn)MOSFET 5N06的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：5.8A
漏極電流-脈沖 IDM：15A
單脈沖雪崩能量 EAS：6.2mJ
雪崩電流 IAS：10A
總耗散功率 PD：1.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：25℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
國(guó)產(chǎn)MOSFET 5N06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 64 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 65 | 80 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 75 | 90 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 330 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 65 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 51 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 15.2 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 10.3 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
