500V高壓MOS管 3N50 TO-252 貼片NMOS管 國(guó)產(chǎn)大芯片
500V高壓MOS管 3N50的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
500V高壓MOS管 3N50的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：500V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：3A
漏極電流-脈沖 IDM：12A
單脈沖雪崩能量 EAS：57mJ
雪崩電流 IAR：2.4A
重新雪崩能量 EAR：6.4mJ
總耗散功率 PD：32.9W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：6.25℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
500V高壓MOS管 3N50的電特性：
(如無(wú)特殊說明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 550 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3.5A | 2.4 | 3 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 310 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 39 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 6 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 33 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 23 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 59 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
